,,

　　片上集成了大容量的高速程序存儲器和數據存儲措，最高可以200Mbit／s的速度訪問，并采用改進的多總線多存儲體的哈佛結構。程序存儲器為64K字節、256位寬．每個指令周期可讀取8個指令字，還可靈活設置為高速CACHE使用；數據存儲器采用雙存儲塊，每個存儲塊又采用多個存儲體，可靈活支持8／16／32位數據讀寫。C6701還可支持64位訪問，每個時鐘可訪問雙32位故據．C6701還可訪問雙64位IEEE雙精度浮點數據；片上集成了32位外部存儲器接口EMIF，并且分成4個時序可編程的空間(CE0、CEl、CE2、CE3)，可直接支持各種規格SDRAM(除CEl空間外)、SBSRAM、SRAM、ROM、FLASH、FIFO存儲器。同時，CEl空間還可直接支持8／16位寬的異步存儲器讀訪問，EMIF接口信號如圖1所示；

　　在加電后，C6201／C6701可采用直接從零地址(只能為外部存儲器)開始執行程序的不引導方式工作；也可采用輔助DMA先自動從宿主機HPI端口或外部CEl空間(8／16／32位ROM)加載64K字節程序至零地址(片上存站器或外部存儲器)，然后再從零地址開始執行程序的引導方式工作。C6201／C6701的這些工作方式由上電復位時5個引導方式管腳BOOTMODE[4：0]的信號電平決定，這些電平信號還決定地址映射方式是采用某種類型、速度的外部存儲器為零地址的MAPO方式，還是采用片上程序存儲器為零地址D6 MAPl方式。這種結構特點大大增加了系統設計的靈活性。在引導工作方式中，當零地址為片上程序存儲器時，程序直接從高速256位寬的片上程宇存儲器并行執行，能充分發揮DSP的高速性能；而其它工作方式中，程序是從外部慢速32位寬的存儲器開始出行執行。因此，基于C6000的嵌入式系統一般采用引導三片上程序存儲器執行的工作方式，如表1所示。

　2 FLASH存儲器MBM29LV800BA

2．1 MBM29LV800BA介紹

　　MBM29LV800BA是FUJITSU公司生產的1M×8／512K×l6位的FLASH存儲器，其管腳信號如圖2所示。／BYTE為×8或×16工作方式配置管腳(／BYTE接低時為×8方式，地址線為[A-1，A0，…A18]共20根，數據線為DQ[0：7]，數據線高8位不用；／BYTE接高時為×16方式，地址線為A[0：18]共19根，A-1，不用，數據線為DQ[0：15])；RY／*BY為表示FLASH就緒或忙的管腳(它是集電極開路引腳，多個RY／*BY管腳可通過上拉電阻直接"線與"連接)。

　　MBM29LV800BA具有許多特點，主要如下

　　單電源3．0V讀、編程寫入、擦除；

　　與JEDEC標準的命令集和引腳分布兼容；

　　增加了快速編程寫人命令，寫入僅需兩個總線周期；

　　具有至少100 000次的編程寫入／擦寫壽命；

　　靈活的扇區結構支持整片內容擦除、任一扇區內容擦除、相連續的多扇區內容并行擦除；

　　具有嵌入式編程寫入算法，可自動寫入和驗證寫入地址的數據；

　　具有嵌入式擦除算法，可自動預編程和擦除整個芯片或任一扇區的內容；

　　具有數據查尋位和切換位，可以通過軟件查尋方法檢測編程寫入／擦除操作的狀態；

　　具有RY／*BY管腳，可以通過硬件方法檢測編程寫入／擦除操作的狀態；

　　自動休眠功能，當地址保持穩定時，自動轉入低功耗模式；

　　具有低電壓禁止寫入功能；

　　具有擦除暫停／擦除恢復功能，

　　2．2 MBM29LV800BA的主要命令及嵌入式算法

　　MBM29LV800BA的編程寫入及擦除命令如表2所示。其中，X為十六進制數字的任意值，RA為被讀數據的FLASH地址，RD為從FLASH地址RA讀出的數據，PA為寫編程命令字的FLASH地址，PD為編程命令宇，SA為被擦除內容的扇區地址。 MBM29LV800BA具有嵌入式編程寫入和擦除算法機構，當向FLASH寫入數據內容或擦除其扇區內容時，需要根據相應的算法編程才能完成。其編程擦除算法流程為：首先寫編程擦除命令序列；然后運行數據測試算法以確定擦除操作完成；其編程寫入算法流程為：程序開始，首先驗證寫入扇區是否為空，不空則運行擦除算法；然后運行編程寫入算法，寫編程寫入命令序列，再運行數據測試算法或查詢RY／*BY管腳信號以確定該次操作完成。地址增1繼續上述過程，否則結束操作；數據測試算法主要是測試DQ7和DQ5位的數據變化，以確定泫次操作是進行中、完成、還是失敗。

　　3 C6201／6701與FLASH的接口設計

　　基于C6000系列DSP處理器的嵌入式系統往往采用地址映射方式為MAPl的ROM引導方式。這種方式是把開發成功的敝入式可執行程序燒寫在CEl空間(從0~01400000地址開始的ROM存儲器)中，并根據引導方式設置相應的引導模式管腳BOOTMODE[4：0]。這樣，當嵌入式系統上電工作時，從復位信號的上升沿開始，輔助DMA把執行程序從引導ROM中移至片上程序存儲船中，然后在片上程序存儲器開始執行程序。這種方式呵充分發揮C6000系列DSP的并行結構特點，具有最好的執行性能。當引導ROM器件采用FLASH存儲器MBM29LV800BA時，C6201／C6701與FLASH存儲器以8位方式連接的接口設計如圖3所示。FLASH的地址線[A-1，A0，…A18]與DSP的EMIF接口地址線[EA2，EA 3+…，EA21]直接相連；FLASH的低8位數據線DQ[0：7]與EMIF接口數據線[ED0，…，ED7]直接相連，高8位數據線DQ[8：15]不連接；讀寫使能信號可直接相連；EMIF接口的片選信號／CEl與字節使能信號／BE0"相與"后與FLASH的片選信號相連；FLASH的方式信號／BYTE接地；由于EMIF接口的ARDY信號為低時，DSP自動插入等待時鐘周期，因此，FLASH的就緒或忙RY／*BY信號經上拉電阻直接與ARDY信號相連，這種設計使FLASH的編程寫操作可不運行數據測試算法，大大簡化了程序設計；C6201／C6701與FLASH以16位或32位方式相連咱6接口設計與8位方式類似。